製品情報1

UV装置 8.6世代(G8.6)

紫外線(UV)を用い、基板表面の有機物を除去する為の装置です。

特長
  • 自社製低圧水銀ランプにより発生する185nm、254nm波長の紫外線効果により基板表面の有機性汚れを除去します。
  • ランプ寿命は6000時間保証。低ランニングコストを実現。

 

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自社製UVランプ

 

 

 

IR装置

赤外線(IR)を用い、基盤表面の脱水を行います。

特長
  • IRヒーター配置により、ムラのない温度均一性を実現。
  • 各々のIRヒーター温度設定が可能。
  • IRヒーターと基板は非接触の為、基板にダメージを与えません。

 

温度特性

下のグラフはIRでの基板表面温度変化をグラフ化したものです。

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HMDS装置

モリブデン系やシリコン系膜において、レジスト膜と基盤との密着性を向上させる装置です。

特長
  • 素ガラス上で基板接触角θ≧55°が可能です。
  • 素ガラス上で接触角均一性 Min/Max≧75%です。
  • 各種安全対策を施しております。
    防爆、薬剤漏洩防止、静電気防止、廃液容器の専用化等

 

 

 

VD装置

レジスト塗布後のガラス基板を減圧状態にして乾燥を促進させるための装置です。

特長
  • スロー排気とメイン排気の二段階で減圧することにより風紋、発泡の抑制を行います。
  • 低温乾燥によりピンムラの削減を行います。
  • 弊社HPと組み合わせることによりベークムラの削減を行います。

 

 

 

HP・CP装置

多段式HP-CP装置

ガラス基板表面をホットプレート(HP)にて加熱させ、コールドプレート(CP)により冷却を行う装置です。

(第10.5世代まで製作実績が有ります。)

基本仕様 基盤表面温度にて

HP加熱: 150±3.0℃(脱水ベーク)

120±2.5℃(プリベーク)

CP冷却: 23±1.0℃

 

特長
  • ホットプレート、コールドプレートにより基板を均一加熱・冷却させます。
  • プロキシミティピン方式により、基板表面のダメージを軽減します。
  • プレート表面は弊社独自の表面処理により、基板への静電気帯電を防ぎます。
  • 多段式ですので、省スペースにて高スループットが実現可能です。
  • ホットプレート用マイカヒーターは設計から製作まで一貫して自社で行っています。

 

温度特性

下のグラフはHP-CPでの基板表面温度変化をグラフ化したものです。

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PCP装置

ガラス基板表面をコールドプレート(PCP)で冷却する装置です。

(第10.5世代まで製作実績が有ります。)

特長
  • コールドプレートにより基板を均一冷却させます。
  • プレート表面は弊社独自の表面処理により、基板への静電気帯電を防ぎます。
  • 多段式ですので、省スペースにて高スループットが実現可能です。
基本仕様 基板表面温度にて

23±2.0℃→23±0.2℃

 

 

 

UV・O3-ASH装置

ガラス基板のレジスト残渣を除去する装置です。

特長
  • IRヒーターを用いて基板を加熱し、外部からオゾンを導入する事によって洗浄効果を上げています。
  • 外部導入オゾンは均一に供給されます。オゾン濃度はオゾンモニタにより監視が可能です。